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产品属性
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主要参数
型号:K4B1G0846I-BYNB
生产商:SAMSUNG
封装:FBGA78
包装:托盘
容量:1Gb
存储类型:易失
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR3
存储接口:并联
工作电压:1.425V ~ 1.575V
安装类型:表面贴装
器件状态:批量生产
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
购买说明
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确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。
具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
K4B1G0846I-BYNB
SAMSUNG
FBGA78
1Gb
托盘
SDRAM-DDR3
DRAM
易失
表面贴装
K4E6E304EE-EGCF 优势供应三星LPDDR3
供应原装H9TKNNN2GDAPLR-NDM 海力士LPDDR2
IS43TR81280B-125JBLI 供应ISSI原装DDR3
供应K3RG2G20BM-MGCH SAMSUNG原装LPDDR4
供应原装H9TKNNN8JDMRHR-NGM海力士LPDDR2
供应NT5CC512M8EN-DI NANYA原装DDR3L
MT47H128M16RT-3IT:C 供应MICRON原装DDR2
H5TQ1G63DFR-H9I SKhynix原装DDR3 现货供应
H5AN8G6NAFR-VKC SKHynix原装DDR4 现货供应
MT41J256M8HX-15E:D MICRON原装DDR3 现货供应