供应NVD6824NLT4G
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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100 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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8.5A（Ta），41A（Tc）
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驱动电压（Rds On， Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻
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20 毫欧 @ 20A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)
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2.5V @ 250μA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
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66 nC @ 10 V
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Vgs
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
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3468 pF @ 25 V
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FET 功能
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-
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功率耗散
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3.9W（Ta），90W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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DPAK
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封装/外壳
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TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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基本产品编号
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NVD6824NLT4G MOS管
ON（安森美）
SOT252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
16+
ON
4264
