【*批发】*原装IGBT管HGTG40N60B3*热卖

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),

*缘栅双*型晶体管,是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,

兼有MOSFET的高输入阻*和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;
MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。

IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。*适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

品牌/商标

HAR美国哈里斯半导体

型号/规格

HGTG40N60B3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

材料

IGBT*缘栅比*