供应SEC*童原装IGBT-160N60
地区：河南 郑州
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无
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产品属性
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耐电压600V,耐电流160A
| 场效应 | G60N100 | |
| 场效应 | IRFP4227 | |
| 场效应 | IRF540 | |
| 场效应 | 20N60 | |
| 场效应 | 12N60 | |
| 场效应 | 10N60 | |
| 场效应 | 7N60 | |
| 场效应 | 8N60 | |
| 场效应 | 12N60 | |
| 场效应 | 10N60 | |
| 场效应 | 7N60 | |
| 场效应 | 8N60 | |
| 场效应 | TRF460 | |
| 场效应 | 11N90 | |
| 场效应 | 9N90 | |
| 场效应 | 160N60 | |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF3205 | |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540N | 100V33A130W |
| 场效应 | 11N90 | 11A900V |
| 场效应 | 9N90 | 9A900V |
| 场效应 | 85N10 | 85A100V |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | 11N90 | 0 |
| 场效应 | 9N90 | 0 |
| 场效应 | 85N10 | 0 |
| 场效应 | IRF540 | 0 |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRFPG50 | |
| 场效应 | 8N60 | |
| 场效应 | 5N60 | |
| 场效应 | 75N75 | |
FAIRCHILD/*童
160N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MW/微波
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
1200（V）
1300（V）
23（μS）
854（pF）
54（dB）
21（mA）
4（mW）
