供应英飞凌原装20R1202
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产品属性
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供应*童原装25N120
| 场效应 | IRFP4227 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | 20N60 |
| 场效应 | 12N60 |
| 场效应 | 10N60 |
| 场效应 | 7N60 |
| 场效应 | 8N60 |
| 场效应 | 12N60 |
| 场效应 | 10N60 |
| 场效应 | 7N60 |
| 场效应 | 8N60 |
| 场效应 | TRF460 |
| 场效应 | 11N90 |
| 场效应 | 9N90 |
| 场效应 | 160N60 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF3205 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF540N |
| 场效应 | 11N90 |
| 场效应 | 9N90 |
| 场效应 | 85N10 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | 11N90 |
| 场效应 | 9N90 |
| 场效应 | 85N10 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF540 |
INFINEON/英飞凌
20R1202
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
1200（V）
1200（V）
56（μS）
36（pF）
12（dB）
52（mA）
85（mW）
