杨少彬
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NEC/日本电气
2SK1483
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
30(V)
-(V)
-(μS)
-(pF)
-(dB)
-(mA)
-(mW)
电力场效应晶体管
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低压mosfet
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