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2B7002LT1G 采购SOT-23封装方式。
功耗:0.2W 针脚数:3
只做原装正品,*销售NXP 、ON、VISHAY等二三*管MOS管,欢迎来电咨询。
我司代理经销:台湾创能CDT、FCI/BUNDRY、SOURIAU、MOLEX、NXP、ON、VISHAY、 ST、INFINEON、TI、INTERIL、ROHM、TKD、Littelfuse等数十种品牌。
以下是ON有库存的型号:
2N7002LT1G LM339DR2G M*T2222AWT1G
BAS16WT1G LM358DR2G M*T2369LT1G
B*70LT1G LM393DR2G M*T2907ALT1G
BV99LT1G LP2591CDR2G M*T2907AWT1G
BC846BLT1G *RM120LT1G M*T3904LT1G
BC847CLT1G MC33063ADR2G M*T3906LT1G
BC850BLT1G MC33078DR2G M*T4401LT1G
BCP53T1G MC34063ADR2G M*T4403LT1G
BZX84C15LT1G MC7808*G M*T5401LT1G
BZX84C5V1LT1G MC78L05ABDR2G M*T5551LT1G
BZX84C5V6LT1G MC78L05ACDR2G MMUN2211LT1G
BZX84C7V5LT1G MJD122T4G NCP1117DT33T5G
LM2902DR2G MJD44H11T4G NCP3420DR2G
LM317TG M*D2838LT1G NL17SZ74USG
LM324DR2G M*T2222ALT1G NP1800SAT3G
NTR4101PT1G NTS4101PT1G UC3842BD1R2G
UC3845BD1R2G
0N/安森美
2N7002LT1G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
60(V)
20(V)
30(μS)
25(pF)
25(dB)
115(mA)
200(mW)