ONSEMI安森美原装现货2N7002LT1G

地区:上海 上海市
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2B7002LT1G  采购SOT-23封装方式。

功耗:0.2W      针脚数:3    

 

只做原装正品,*销售NXP 、ON、VISHAY等二三*管MOS管,欢迎来电咨询。

 

我司代理经销:台湾创能CDT、FCI/BUNDRY、SOURIAU、MOLEX、NXP、ON、VISHAY、 ST、INFINEON、TI、INTERIL、ROHM、TKD、Littelfuse等数十种品牌。

 

以下是ON有库存的型号:

 2N7002LT1G                  LM339DR2G                   M*T2222AWT1G      

 BAS16WT1G                  LM358DR2G                    M*T2369LT1G

 B*70LT1G                    LM393DR2G                   M*T2907ALT1G

 BV99LT1G                      LP2591CDR2G                M*T2907AWT1G

 BC846BLT1G                  *RM120LT1G                M*T3904LT1G

 BC847CLT1G                  MC33063ADR2G              M*T3906LT1G

 BC850BLT1G                  MC33078DR2G                M*T4401LT1G

 BCP53T1G                      MC34063ADR2G              M*T4403LT1G

 BZX84C15LT1G               MC7808*G                    M*T5401LT1G

 BZX84C5V1LT1G             MC78L05ABDR2G             M*T5551LT1G

 BZX84C5V6LT1G             MC78L05ACDR2G             MMUN2211LT1G

 BZX84C7V5LT1G             MJD122T4G                     NCP1117DT33T5G

 LM2902DR2G                  MJD44H11T4G                 NCP3420DR2G

 LM317TG                        M*D2838LT1G               NL17SZ74USG

 LM324DR2G                    M*T2222ALT1G              NP1800SAT3G

NTR4101PT1G                   NTS4101PT1G                 UC3842BD1R2G

UC3845BD1R2G

品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

2N7002LT1G

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

60(V)

夹断电压

20(V)

跨导

30(μS)

*间电容

25(pF)

低频噪声系数

25(dB)

漏*电流

115(mA)

耗散功率

200(mW)