场效应 FQD11N60 FQD12N06 FQPF15N06
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11N06 12N06 15N06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
HG/高跨导
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
5（V）
60（V）
60（μS）
60（pF）
0.1（dB）
1（mA）
60（mW）
