供应BUK768R1-100E MOSFET

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：100 V

漏极连续电流：100 A

导通电阻：21.9 mOhms

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：D2PAK

封装：Reel

商标：NXP Semiconductors

下降时间：49.6 ns

栅极电荷 Qg：108 nC

功率耗散：263 W

上升时间：44.1 ns

工厂包装数量：800

典型关闭延迟时间：72 ns

诚信经营 质量保证

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