供应 SPB73N03S2L-08 分立式导体

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 73 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 107 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Reel

高度: 4.4 mm  

长度: 10 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 9.25 mm  

商标: Infineon Technologies  

下降时间: 19 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 20 ns  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 31.5 ns  

典型接通延迟时间: 7.7 ns  

单位重量: 2.240 g

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