供应*童MOS场效应管 FDH5500

商品替换/技术参数对比表
商品型号	商品品牌	BVdss[V]	ID [A]	RDS(CN)[mΩ]	PD[W]
FDH5500	美国*童 FairChild	55	75	0.007	375

北京韶光科技有限公司成立于1998年，是国内*早从事代理功率器件产品的公司，公司主要致力于新功率半导体器件的推广MOFET, IGBT单管及模块, *快恢复二*管等，同时公司还代理韩国半导体公司的功率模块并向客户提供*的服务。
    公司的产品主要应用于开关电源AC/DC、逆变电源、UPS/EPS电源、 电焊机、特种电源、马达驱动等。
    本公司备有大量的现货库存。价格具有竞争性。并且可为客户配套服务。同时为客户提供技术*支持！

：刘学友 

联系方式：

网址：https://www.shaoguang.com.cn

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FDH5500FDP3205FQP50N06FDP5800FDP80N06FDP050AN06A0FDP070AN06A0FDP025N06FDP047AN08A0FDP047N08FDP032N08FQP70N08FQA90N08FQA160N08FDP047N10IRF530AFQP33N10FQP55N10FDP150N10FQA70N10SSH70N10AFDP090N10FDP3651UFQP90N10V2

55	75.0	0.0052	206	3565	TO-247	N沟道，适用于电机驱动、开关电源等
55	100.0	0.0061	93	5810	TO-220	N沟道，开关特性*
60	50.0	0.0180	31	1180	TO-220	N沟道增强型，适于DC /DC、电池管理
60	80.0	0.0046	112	6890	TO-220	N沟道，适于电机驱动、DC/AC 、UPS
60	80.0	0.0085	57	2450	TO-220	N沟道增强型，适用功率因数校正等
60	80(＜135℃)	0.0043	61	3900	TO-220AB	N沟道，低内阻、低密勒电容、适用于电机驱动、ABS系统、DC /DC、UPS等
60	80(＜97℃)	0.0061	51	3000	TO-220AB
60	265	0.0019	174	11190	TO-220	N沟道，适用于DC /DC、同步整流等
75	80(＜144℃)	0.0040	92	6600	TO-220AB	N沟道，适用于DC /DC、UPS等
75	164	0.0037	117	7080	TO-220	N沟道，低内阻，适用于DC /DC等
75	235	0.0025	169	11400	TO-220	N沟道，适用于DC/DC等
80	70.0	0.0130	75	2100	TO-220	DMOS工艺，N沟道增强型，*开关，100%雪崩耐量检测，适用于汽车电子、DC /DC、直流电机驱动等
80	90.0	0.0120	84	2500	TO-*N
80	160	0.0056	225	6100	TO-*
100	164	0.0039	160	11500	TO-220	N沟道，适用于DC /DC、同步整流等
100	14.0	0.0920	27	610	TO-220	N沟道，低输入电容，*工作区*
100	33.0	0.0400	38	1150	TO-220	DMOS工艺，N沟道增强型，*开关，100%雪崩耐量检测，适用于功放、DC /DC、直流电机驱动等
100	55.0	0.0210	75	2100	TO-220
100	57.0	0.0120	53	3580	TO-220	N沟道，适用于DC /DC、同步整流等
100	70.0	0.0190	85	2500	TO-*	N沟道增强型，适用于功放、DC /DC等
100	70.0	0.0230	151	3750	TO-*	N沟道，低输入电容，*工作区*
100	75.0	0.0072	89	6185	TO-220	N沟道，适用于DC /DC、同步整流
100	80.0	0.0150	49	4152	TO-220AB	N沟道，适用于DC /DC、高压同步整流
100	90.0	0.0085	147	4730	TO-220	N沟道增强型，适于DC /DC、同步整流