供应SANYO钽电容2R5TPD100M8
地区：广东 深圳
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无
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POSCAP因为在阳*采用钽烧结体(APA系列为铝箔)，在阴*里采用独自的做法使高分子*半导体形成具有高度的导电性能，不*使得形状大幅度变小,高度变低,等效串联电阻(*R)变小。并且拥有出色的高频率特性,*为适合电子设备的数字化,高频化的小型化电容器。同时也具有*性高,耐热性的特性。
"SANYO/三洋
2R5TPD1000M8
钽电解
滤波
长方形
大功率
*频
固定
无引线
&plu*n;20（%）
2.5（V）
8（mΩ）
1000（uF）
2.5（V）
105
