AOD3N40 MOS场效应管 N沟道
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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数据列表 |
AOD3N40 |
|
类别 |
分立半导体产品 |
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产品族 |
晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
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系列 |
- |
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FET 类型 |
N 沟道 |
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技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
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漏源电压（Vdss） |
400V |
|
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） |
2.6A（Tc） |
|
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） |
10V |
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） |
3.1 欧姆 @ 1A，10V |
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
4.5V @ 250μA |
|
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） |
5.1nC @ 10V |
|
Vgs（最大值） |
±30V |
|
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） |
225pF @ 25V |
|
FET 功能 |
- |
|
功率耗散（最大值） |
50W（Tc） |
|
工作温度 |
-50°C ~ 150°C（TJ） |
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安装类型 |
表面贴装 |
|
供应商器件封装 |
TO-252，（D-Pak） |
|
封装/外壳 |
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
我司可为客户开具13%增值税发票。
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Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted |
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Parameter |
Symbol |
Maximum |
Units |
|
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
400 |
V |
|
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±30 |
V |
|
|
Continuous Drain
CurrentB |
TC=25°C |
ID |
2.6 |
A |
|
TC=100°C |
1.6 |
|||
|
Pulsed Drain Current C |
IDM (<80μs) |
5.6 |
||
|
Pulsed Drain Current C |
IDM (<20μs) |
6.5 |
|
|
|
Avalanche Current C |
IAR |
1.5 |
A |
|
|
Repetitive avalanche energy C |
EAR |
34 |
mJ |
|
|
Single pulsed avalanche energy H |
EAS |
68 |
mJ |
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|
Peak diode recovery dv/dt |
dv/dt |
5 |
V/ns |
|
|
Power Dissipation B |
TC=25°C |
PD |
50 |
W |
|
Derate above 25°C |
0.4 |
W/ °C |
||
|
Junction and Storage Temperature Range |
TJ, TSTG |
-50 to 150 |
°C |
|
|
Maximum lead temperature for soldering
purpose, 1/8" from case for 5 seconds |
TL |
300 |
°C |
|
AOD3N40
AO/万代
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
