STR1P2UH7分立半导体晶体管MOSFET

  产品描述：                                                                                                                                                     

                    STR1P2UH7分立半导体晶体管MOSFET / 原装现货新年份

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Qg-栅极电荷: 4.8 nC
工作温度: - 55 C~ 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
通道模式: Enhancement
系列: S1P2UH7
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 19 ns
高度: 1.4 mm
长度: 3.04 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 1.75 mm
单位重量: 8 mg

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