场效应管/MOS管IRF5802TRPBF/ INFINEON

  产品描述：                                                                                                                                                     

                    场效应管/MOS管IRF5802TRPBF/ INFINEON / 原装现货新年份

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 900 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.5 V
Qg-栅极电荷: 4.5 nC
工作温度: - 55 C~%2B 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 9.2 ns
正向跨导 - 值: 0.55 S
高度: 1.1 mm
长度: 3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 1.6 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 7.5 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.5 mm
单位重量: 20 mg

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