FF100R12KS4

地区:广东 深圳
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150A  1200V  igbt

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品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

FF100R12KS4

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CHIP/小型片状

材料

GaAS-FET砷化镓

开启电压

1200(V)

夹断电压

2(V)

低频跨导

1(μS)

极间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏极电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)