供应IRF630 ST(意法半导体)场效应管(MOSFET)

供应IRF630 ST(意法半导体)场效应管(MOSFET) 产品属性

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制造商: STMicroelectronics  
产品种类: MOSFET  
RoHS:  详细信息  
技术: Si  
安装风格: Through Hole  
封装 / 箱体: TO-220-3  
晶体管极性: N-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 200 V  
Id-连续漏极电流: 9 A  
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  
Qg-栅极电荷: 31 nC  
zui小工作温度: - 65 C  
zui大工作温度: %2B 150 C  
Pd-功率耗散: 75 W  
通道模式: Enhancement  
封装: Tube  
商标: STMicroelectronics  
配置: Single  
正向跨导 - zui小值: 3 S  
高度: 9.15 mm  
长度: 10.4 mm  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 15 ns  
系列: IRF630  
工厂包装数量: 1000  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 N-Channel  
类型: MOSFET  
典型接通延迟时间: 10 ns  
宽度: 4.6 mm  
单位重量: 2 g 

供应IRF630 ST(意法半导体)场效应管(MOSFET) 供应商介绍

深圳市炀城实业有限公司

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