供应FDD6670A ON场效应管MOS

供应FDD6670A ON场效应管MOS产品属性

制造商: onsemi  
产品种类: MOSFET  
RoHS:  详细信息  
技术: Si  
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: DPAK-3  
晶体管极性: N-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 30 V  
Id-连续漏极电流: 66 A  
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V  
Qg-栅极电荷: 22 nC  
zui小工作温度: - 55 C  
zui大工作温度: %2B 175 C  
Pd-功率耗散: 3.2 W  
通道模式: Enhancement  
商标名: PowerTrench  
封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: onsemi / Fairchild  
配置: Single  
下降时间: 19 ns  
正向跨导 - zui小值: 60 S  
高度: 2.39 mm  
长度: 6.73 mm  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 12 ns  
系列: FDD6670A  
工厂包装数量: 2500  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 N-Channel  
类型: MOSFET  
典型关闭延迟时间: 29 ns  
典型接通延迟时间: 11 ns  
宽度: 6.22 mm  
零件号别名: FDD6670A_NL  
单位重量: 330 mg 

供应FDD6670A ON场效应管MOS供应商介绍

深圳市炀城实业有限公司

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