意法半导体场效应管

地区:广东 深圳
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    意法半导体场效应管参数:

    型号:STF13NM60N

    FET 类型:N 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):600V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):360 毫欧 @ 5.5A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V

    Vgs(最大值):±25V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):790pF @ 50V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):25W(Tc)

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:通孔

    供应商器件封装:TO-220FP

    封装/外壳:TO-220-3 整包


    场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。


型号/规格

全系列

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

直插

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装