AO4430L场效应管

    AO4430L场效应管规格：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Ta）

    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.5 毫欧 @ 18A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：124nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7270pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：3W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管的选择方法：

    1、当控制电压可正可负时，应选择耗尽型场效应管。

    2、当信号内阻很高时，为得到较好的放大作用和较低的噪声，应选用场效应管；而当信号内阻很低时，应选用三极管。

    3、在低功耗、低噪声、弱信号和超高频时，应选用场效应管。

    4、在作为双向导电开关时应选场效应管。