AO4600场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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    AO4600场效应管规格:

    FET 类型:N 和 P 沟道

    FET 功能:标准

    漏源电压(Vdss):30V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A (Ta), 5.6A (Ta)

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):23 毫欧 @ 7.5A, 10V, 42 毫欧 @ 5.6A, 10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250?A, 1.3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V

    功率 - 最大值:2W

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    供应商器件封装:8-SOIC


    场效应管作用:

    1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。

    2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3.场效应管可以用作可变电阻。

    4.场效应管可以方便地用作恒流源。

    5.场效应管可以用作电子开关。


型号/规格

AO4600

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装