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产品属性
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AO4600场效应管规格:
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A (Ta), 5.6A (Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):23 毫欧 @ 7.5A, 10V, 42 毫欧 @ 5.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250?A, 1.3V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V
功率 - 最大值:2W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
场效应管作用:
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
AO4600
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装