图文详情
产品属性
相关推荐
AO4413AL场效应管规格:
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7 毫欧 @ 15A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):61nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3500pF @ 15V
功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-SO
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
场效应管的作用:
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
AO4413AL
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装