AO4413AL场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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    AO4413AL场效应管规格:

    FET 类型:P 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):30V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7 毫欧 @ 15A,20V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):61nC @ 10V

    Vgs(最大值):±25V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3500pF @ 15V

    功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:8-SO

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


    场效应管的作用:

    1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。

    2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3、场效应管可以用作可变电阻。

    4、场效应管可以方便地用作恒流源。

    5、场效应管可以用作电子开关。


型号/规格

AO4413AL

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装