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AO4614B场效应管采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于H桥,逆变器和其他应用。
AO4614B场效应管参数:
制造商零件编号:AO4614B
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A,5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):650pF @ 20V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
怎么判断场效应管好坏的注意事项:
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管.对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置.
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用.
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用.例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构.
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信号低频跨导gm=2000μS.适用于高速开关电路和广播、通信设备中.
AO4614B
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装