描述：
The IRLR2905PBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET. The international rectifier utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The D-PAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.
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Logic-Level Gate Drive
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Ultra Low On-Resistance
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Surface Mount (IRLR2905)
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Straight Lead (IRLU2905)
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Advanced Process Technology
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Fast Switching and Fully Avalanche Rated
应用：
音频, 工业, 电源管理
规格
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FET 类型
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N 沟道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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55V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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42A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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4V，10V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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2V @ 250μA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
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48nC @ 5V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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1700pF @ 25V
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Vgs（最大值）
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±16V
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FET 功能
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功率耗散（最大值）
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110W（Tc）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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27 毫欧 @ 25A，10V
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装
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供应商器件封装
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D-Pak
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封装/外壳
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TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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