现货*供应,IGBT,场效应管,IR210*BF IRF IR 大功率场效应

地区:广东 深圳
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Specifications
ParameterValue
Family HVIC General Purpose HVICs
Channels 2
Topology Half Bridge
Application General Purpose / Motor Control
Voffset 600
Io /Io- (mA) 210 / 360
UVLO Vcc
VBSUV / VCCUV Min (V) 8.0
VBSUV / VCCUV T* (V) 8.9
VBSUV / VCCUV Max (V) 9.8
VBSUV- / VCCUV- Min (V) 7.4
VBSUV- / VCCUV- T* (V) 8.2
VBSUV- / VCCUV- Max (V) 9.0
DT / SDT min (ns) 400
DT / SDT t* (ns) 520
DT / SDT max (ns) 650
T on t* (ns) 680
T on max (ns) 820
T off t* (ns) 150
T off max (ns) 220
Inverter Input Logic LIN
Package 8 Lead
Part Status Active
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IR210*BF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

IGBT*缘栅比*

开启电压

600(V)

夹断电压

300(V)

跨导

20(μS)

*间电容

30(pF)

低频噪声系数

20(dB)

漏*电流

25(mA)

耗散功率

20(mW)