FQPF8N80C,场效应管
地区:广东 深圳
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SON日本萦尼
FQPF8N80C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
CHIP/小型片状
IGBT*缘栅比*
1.5(V)
2.5(V)
45(μS)
65(pF)
50(dB)
35(mA)
40(mW)