FQPF8N80C,场效应管

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品牌/商标

SON日本萦尼

型号/规格

FQPF8N80C

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

CHIP/小型片状

材料

IGBT*缘栅比*

开启电压

1.5(V)

夹断电压

2.5(V)

低频跨导

45(μS)

*间电容

65(pF)

低频噪声系数

50(dB)

漏*电流

35(mA)

耗散功率

40(mW)