现货*GFP4N60兼容FQP4N60C TO-220铁头 4N60

地区:广东 深圳
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These N-Channel enhancement mode power field effect
Transistors  are  produced  using  planar stripe,  DMOS
technology.
GFP4N60是增强型N沟道功率场效应管,采用平面条形DMOS
工艺生产制造。
This advanced technology has been especially  tailored
to  minimize  on - state  resistance , provide  *ior
switching performance,and Withstand high energy pulse
in the avalanche and commutaion mode .These devices
are  well  suited  for  high  efficiency switch mode power
supply.
GFP4N60具有低导通电阻、*的开关特性以及*雪崩击穿
能力,适合用于*开关电源。
栅源电压
连续漏*电流
漏源反向击穿电压
Characteristics(参数)
V 30 VGS
A 4.4 ID
V 600 BVDSS
Units(单位) Value(额定值) Symbol(*号)正向压降
热阻(结到壳)
储存温度
耗散功率
雪崩能量
栅源电压
连续漏*电流
漏源反向击穿电压
Characteristics(参数)
℃ -55 ~150 TSTG
℃/ W 1.18 RθJC
V 30 VGS
A 4.4 ID
mJ 260 EAS
V 1.4 VSD
W 106 PD
V 600 BVDSS
Units(单位) Value(额定值) Symbol(*号)
nA 栅源漏电流
VDS= 480V, VGS= 10V
ID=4.4A      
nC
20 15 - Qg 栅*存储电荷
- 3.4 - Qgs 栅源电荷
- 7.1 - Qgd 栅漏电荷
80 35 - tf 下降时间
90 70 - Coss 输出电容
VDS=600V ,VGS= 0V uA 10 - - IDSS 漏源漏电流
VGS= 30V, VDS= 0V 100 - - IGSS
VDD= 300V, ID= 4.4A
RG=25 Ω
VGS= 0V, VDS= 25V
F=1.0MHz
VDS= 50V, ID=2.2A
VGS= 10V,ID=2.2A
VDS= VGS,ID=250uA
Test Conditions
(测试条件)
开启电压
ns
pF
S
Ω
V
Units
(单位)
25
45
13
8
520
4
1.77
-
T*.
(典型值)
4.0 2.0 VGS(th)
- - gfs 跨导
2.5 - RDS(on) 导通电阻
35 - td(on) 导通延迟时间
11 - Crss 传输电容
670 - Ciss 输入电容
60 - td(off) 下降延迟时间
100 - tr 上升时间
Max.
(*大值)
Min.
(*小值)
Symbol
(*号)
Characteristics
参数名称
Absolute Maximum ratings(*限参数,除非另有规定,T=25 ℃)

 

 

*代理:场效应管2N60/5N60/8N60/10N60/12N60

 

型号 年份封装应用范围
2N60 09 原装*TO-220/TO-220F*灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器
5N60 09 原装*TO-220/TO-220F风扇控制板,控制电源,LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器
8N60 09 原装*TO-220/TO-220F电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、
10N60 09 原装*TO-220/TO-220F工业电源,HID电子镇流器,*灯,开关电源、
12N60 09 原装*TO-220/TO-220F风扇控制板,控制电源,LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器
"
品牌/商标

GY

型号/规格

FS2N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

600(V)