IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon 单个

IPD30N06S2L23ATMA3  Infineon   单个

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPD30N06S2L23ATMA3

IPD30N06S2L23ATMA3  Infineon   单个 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）23 毫欧 @ 22A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）2V @ 50μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）42 nC @ 10 V

Vgs（大值）±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1091 pF @ 25 V

FET 功能-

功率耗散（大值）100W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PG-TO252-3-11

封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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