晶体管 Vishay SIR696DP-T1-GE3

晶体管  Vishay  SIR696DP-T1-GE3

制造商

Vishay Siliconix

制造商产品编号

SIR696DP-T1-GE3

晶体管  Vishay  SIR696DP-T1-GE3 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）7.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）11.5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4.5V @ 250μA

Vgs（大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（大值）104W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PowerPAK® SO-8

封装/外壳PowerPAK® SO-8

漏源电压（Vdss）125 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）38 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1410 pF @ 75 V

晶体管  Vishay  SIR696DP-T1-GE3

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