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产品属性
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晶体管 Analog DC1959B-A
制造商
Analog Devices Inc.
制造商产品编号
DC1959B-A
包装管件
\u96F6\u4EF6\u72B6\u6001\u5728\u552E
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds
On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)46 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)5V @ 250μA
Vgs(大值)±30V
FET 功能-
功率耗散(大值)46W(Tc)
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3
漏源电压(Vdss)250 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)4480 pF @ 25 V
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DC1959B-A
Analog
TO-220-3
20+
-40°C
150°C