单个 STMicroelectronics STV160NF02LAT4

单个  STMicroelectronics  STV160NF02LAT4

制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STV160NF02LAT4

单个  STMicroelectronics  STV160NF02LAT4 

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    160A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      2.7毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    175nC @ 10V

Vgs（大值）     ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  5500pF @ 15V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    210W（Tc）

工作温度       175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    10-PowerSO

封装/外壳      PowerSO-10 裸露底部焊盘

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