PSMN1R0-30YLDX Nexperia 单个

PSMN1R0-30YLDX  Nexperia  单个

制造商

Nexperia USA Inc.

制造商产品编号

PSMN1R0-30YLDX

PSMN1R0-30YLDX  Nexperia  单个

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）1.02 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）2.2V @ 2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）

121.35 nC @ 10 VVgs（大值）±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）8598 pF @ 15 V

FET 功能-

功率耗散（大值）238W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装LFPAK56，Power-SO8

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