SI9933CDY-T1-E3 Vishay 阵列

SI9933CDY-T1-E3  Vishay   阵列

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号   

SI9933CDY-T1-E3

 SI9933CDY-T1-E3  Vishay   阵列

FET 类型       2 个 P 沟道（双）

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压（Vdss）       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      58 毫欧 @ 4.8A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    26nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  665pF @ 10V

功率 - 大值     3.1W

工作温度       -50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装    8-SO

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