IRFBG30PBF Vishay 晶体管

制造商   

Vishay Siliconix

制造商零件编号   

IRFBG30PBF

一般信息

数据列表       IRFBG30;

标准包装      50

包装      管件 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       -

其它名称       *IRFBG30PBF

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       1000V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    3.1A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      5 欧姆 @ 1.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    80nC @ 10V

Vgs（大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  980pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    125W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220AB

封装/外壳      TO-220-3

IRFBG30PBF Vishay 晶体管

公司简介：

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