Micron 闪存 NAND04GW3B2DN6E

Micron 闪存 NAND04GW3B2DN6E

制造商   

Micron Technology Inc.

制造商零件编号   

NAND04GW3B2DN6E

一般信息

数据列表       NAND(04,08)G-(B2D,BxC);

标准包装      576

包装      托盘 

零件状态       Digi-Key 停产

类别       集成电路（IC）

产品族    存储器

系列       -

规格

存储器类型    非易失

存储器格式    闪存

技术       闪存 - NAND

存储容量       4Gb （512M x 8）

存储器接口    并联

写周期时间 - 字，页  25ns

访问时间       25ns

电压 - 供电  2.7V ~ 3.6V

工作温度       -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）

供应商器件封装    48-TSOP

Micron 闪存 NAND04GW3B2DN6E

公司简介：
深圳昴泽电子是一家授权半导体和电子元器件授权分销商，服务广大电子设计群体。深圳昴泽电子原厂授权分销超过800家品牌，可订购500多万种在线产品，为客户提供一站式采购平台，欢迎垂询！