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产品属性
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BR25A512FJ-3MGE2 Rohm EEPROM
制造商
Rohm Semiconductor
制造商零件编号
BR25A512FJ-3MGE2
BR25A512FJ-3MGE2 Rohm EEPROM
一般信息
数据列表 BR25A512-3M;
SOP-J8 Taping Spec;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 BR25A512FJ-3MGE2TR
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 EEPROM
技术 EEPROM
存储容量 512Kb (64K x 8)
存储器接口 SPI
时钟频率 10MHz
写周期时间 - 字,页 5ms
电压 - 供电 2.5V ~ 5.5V
工作温度 -40°C ~ 105°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOP-J
BR25A512FJ-3MGE2 Rohm EEPROM
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
BR25A512FJ-3MGE2
Rohm
8-SOP-J
20+
-40°C ~ 105°C(TA)
2.5V ~ 5.5V
S29GL01GT11DHV023 闪存 Cypress
S70GL02GS12FHIV20 Cypress FLASH
Cypress 闪存 S70FL01GSDSMFV010
SanDisk SDINBDG4-8G-I2 eMMC
S29AL008J70BFI020 Cypress FLASH
S25FL512SAGBHIS10 Cypress FLASH
MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR Micron FLASH
Micron MT25QU256ABA8E55-0SIT TR FLASH
IS25WP032D-JKLE ISSI FLASH
Microchip 24CW1280T-I/ST 闪存