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产品属性
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MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM
制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT49H16M18SJ-25:B TR
MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM
一般信息
数据列表 MT49H32M9, 16M18, 8M36;
标准包装 1,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 557-2017-2
MT49H16M18SJ-25:B TR-ND
MT49H16M18SJ-25:BTR
MT49H16M18SJ-25:BTR-ND
规格
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 DRAM
存储容量 288Mb (16M x 18)
存储器接口 并联
时钟频率 400MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 20ns
电压 - 供电 1.7V ~ 1.9V
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 144-TBGA
供应商器件封装 144-FBGA(18.5x11)
MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
MT49H16M18SJ-25:B TR
Micron
144-FBGA(18.5x11)
20+
1.7V ~ 1.9V
0°C ~ 95°C(TC)
ISSI IS41LV16105D-50TLI-TR DRAM
S25FL064LABNFB010 Cypress FLASH
闪存 MT28EW256ABA1LJS-0SIT Micron
Micron MT25QL256ABA1EW9-0AAT 闪存
Micron MT41K128M16JT-107:K 存储器
AS4C32M16SC-7TIN Alliance
Micron MT41K256M8DA-125:K 存储器
AT24CSW040-UUM0B-T Microchip EEPROM
存储器 Micron MT46V16M16P-5B:M
GSI GS4576C09GM-18I DRAM