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产品属性
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GSI GS4576C09GM-18I DRAM
制造商编号:
GS4576C09GM-18I
制造商: GSI Technology
GSI GS4576C09GM-18I DRAM
规格
制造商: GSI Technology
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型: LLDRAM II
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: FBGA-144
组织: 64 M x 9
大时钟频率: 533 MHz
电源电压-大: 2.63 V
电源电压-小: 1.7 V
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 95 C
系列: GS4576C09GM
商标: GSI Technology
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 18
子类别: Memory & Data Storage
GSI GS4576C09GM-18I DRAM
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
GS4576C09GM-18I
GSI
FBGA-144
20+
SMD/SMT
533 MHz
Micron MT25QL256ABA1EW9-0AAT 闪存
Micron MT41K256M8DA-125:K 存储器
S25FL064LABNFB010 Cypress FLASH
W956D8MBYA5I Winbond DRAM
AS4C32M16SC-7TIN Alliance
S25FL064LABNFB010 Cypress FLASH
Micron MT41K128M16JT-107:K 存储器
MT25QL256ABA8ESF-0AAT Micron 闪存
存储器 IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR ISSI
Cypress FLASH S25FS064SAGNFB030