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产品属性
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MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR Micron FLASH
制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR
MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR Micron FLASH
一般信息
数据列表 MT25QU02GCBB Datasheet;
标准包装 2,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 汽车级,AEC-Q100
其它名称 MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR-ND
MT25QU02GCBB8E12-0AATTR
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 2Gb (256M x 8)
存储器接口 SPI
时钟频率 133MHz
写周期时间 - 字,页 8ms,2.8ms
电压 - 供电 1.7V ~ 2V
工作温度 -40°C ~ 105°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 24-TBGA
供应商器件封装 24-T-PBGA(6x8)
MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR Micron FLASH
产品图;
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR
Micron
24-T-PBGA(6x8)
20+
2Gb (256M x 8)
1.7V ~ 2V
SkyHigh S40FC004C1B1C00000 Embedded
ISSI PSRAM IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR
Cypress CY62128EV30LL-45SXIT SRAM
Cypress FLASH S29GL01GS11TFIV10
72265LA15PFGI8 Renesas 存储器
CY14B108N-ZSP45XIT Cypress NVSRAM
Microchip SST26VF032BAT-104I/MF 闪存
Cypress SRAM CY62157EV30LL-45BVXA
Cypress NVSRAM CY14V104NA-BA25XIT
Micron MT49H8M36SJ-25:B TR DRAM