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产品属性
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Micron MT49H8M36SJ-25:B TR DRAM
制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT49H8M36SJ-25:B TR
Micron MT49H8M36SJ-25:B TR DRAM
一般信息
数据列表 MT49H32M9, 16M18, 8M36;
标准包装 1,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 557-2018-2
MT49H8M36SJ-25:B TR-ND
MT49H8M36SJ-25:BTR
MT49H8M36SJ-25:BTR-ND
规格
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 DRAM
存储容量 288Mb (8M x 36)
存储器接口 并联
时钟频率 400MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 20ns
电压 - 供电 1.7V ~ 1.9V
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 144-TFBGA
供应商器件封装 144-FBGA(18.5x11)
Micron MT49H8M36SJ-25:B TR DRAM
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
MT49H8M36SJ-25:B TR
Micron
144-FBGA(18.5x11)
20+
1.7V ~ 1.9V
0°C ~ 95°C(TC)
AS4C8M16SA-6BINTR Alliance SDRAM
Cypress CY7C1460KV33-250AXI SRAM
S70FL01GSDPBHIC10 Cypress FLASH
Cypress SRAM CY62157EV18LL-55BVXI
Cypress CY7C1315KV18-250BZXI SRAM
GSI GS816136DD-250I SRAM
Cypress CY14B108N-BA25XI NVSRAM
Renesas 71V124SA15PHGI8 SRAM
Cypress CY7C1442KV33-250AXC SRAM
IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR ISSI SRAM