Micron MT49H8M36SJ-25:B TR DRAM

地区:广东 深圳
认证:

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Micron MT49H8M36SJ-25:B TR DRAM

制造商   

Micron Technology Inc.

制造商零件编号   

MT49H8M36SJ-25:B TR

Micron MT49H8M36SJ-25:B TR DRAM

 

一般信息

数据列表       MT49H32M9, 16M18, 8M36;

标准包装      1,000

包装      标准卷带 

零件状态       有源

类别       集成电路(IC

产品族    存储器

系列       -

其它名称       557-2018-2

MT49H8M36SJ-25:B TR-ND

MT49H8M36SJ-25:BTR

MT49H8M36SJ-25:BTR-ND

 

规格

存储器类型    易失

存储器格式    DRAM

技术       DRAM

存储容量       288Mb 8M x 36

存储器接口    并联

时钟频率       400MHz

写周期时间 - 字,页  -

访问时间       20ns

电压 - 供电  1.7V ~ 1.9V

工作温度       0°C ~ 95°CTC

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      144-TFBGA

供应商器件封装    144-FBGA18.5x11

Micron MT49H8M36SJ-25:B TR DRAM

产品图:

 

公司简介:

昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。

 

型号

MT49H8M36SJ-25:B TR

品牌

Micron

封装

144-FBGA(18.5x11)

批号

20+

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

工作温度

0°C ~ 95°C(TC)