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产品属性
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闪存 ISSI IS25LP512M-JLLE
制造商编号:
IS25LP512M-JLLE
制造商: ISSI
规格
制造商: ISSI
产品种类: NOR闪存
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WSON-8
系列: IS25LP512M
存储容量: 512 Mbit
电源电压-最小: 2.3 V
电源电压-最大: 3.6 V
电源电流—最大值: 40 mA
接口类型: SPI
最大时钟频率: 133 MHz
组织: 64 M x 8
数据总线宽度: 8 bit
定时类型: Synchronous
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
存储类型: Flash
速度: 133 MHz
商标: ISSI
湿度敏感性: Yes
产品类型: NOR Flash
工厂包装数量: 480
子类别: Memory & Data Storage
闪存 ISSI IS25LP512M-JLLE
产品图:
公司简介:
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IS25LP512M-JLLE
ISSI
WSON-8
20+
2.3 V
3.6 V
AS4C64M4SA-7TCN Alliance SDRAM
24LC65-I/SM Microchip EEPROM
W631GG6MB15I TR Winbond SDRAM
24CW640-I/SN Microchip EEPROM
S29GL01GT10TFI013 Cypress 闪存
CY7C1061G30-10ZSXIT Cypress SRAM
SST25WF080B-40E/SN Microchip 闪存
Micron SDRAM MT40A512M16JY-083E:B TR
IS42VM16160K-6BLI-TR ISSI SDRAM
W632GG6NB-12 TR Winbond SDRAM