CSD86330Q3D TI 晶体管 - FET，MOSFET

制造商   

Texas Instruments

制造商零件编号   

CSD86330Q3D

规格

FET 类型       2 个 N 通道（半桥）

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压（Vdss）       25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      9.6 毫欧 @ 14A，8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    6.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  920pF @ 12.5V

功率 - 最大值     6W

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      8-PowerLDFN

供应商器件封装    8-LSON（3.3x3.3）

公司简介：

昴泽（深圳）实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作，提供最直接的货源、减少产品的流通环节，降低运营成本。目前主要经营：TI（德州仪器）、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、INFINEON（英飞凌）、IR（国际整流器）、ON（安森美）、MPS（芯源半导体）、等等。