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产品属性
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阵列 ON Semiconductor MC1413BDR2G
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
MC1413BDR2G
阵列 ON Semiconductor MC1413BDR2G
晶体管类型 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(大值) 500mA
电压 - 集射极击穿(大值) 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(大值) 1.6V @ 500μA,350mA
电流 - 集电极截止(大值) -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V
功率 - 大值 -
频率 - 跃迁 -
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 16-SOIC
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MC1413BDR2G
ON Semiconductor
16-SOIC
2020+
150°C