阵列 ON Semiconductor MC1413BDR2G

地区:广东 深圳
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阵列  ON Semiconductor  MC1413BDR2G

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

MC1413BDR2G

 阵列  ON Semiconductor  MC1413BDR2G

 晶体管类型    7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(大值)   500mA

电压 - 集射极击穿(大值)  50V

不同 IbIc Vce 饱和压降(大值)       1.6V @ 500μA350mA

电流 - 集电极截止(大值)  -

不同 IcVce DC 电流增益 (hFE)(最小值)   1000 @ 350mA2V

功率 - 大值     -

频率 - 跃迁  -

工作温度       150°CTJ

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      16-SOIC0.154"3.90mm 宽)

供应商器件封装    16-SOIC

阵列  ON Semiconductor  MC1413BDR2G

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型号/规格

MC1413BDR2G

品牌/商标

ON Semiconductor

封装

16-SOIC

批号

2020+

最大工作温度

150°C