销售士兰微MOSFET场效应管SVF2N60M(MJ)(N)(F)(T)(D)

地区:江苏 常州
认证:

常州奕辰电子有限公司

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描述:

长期销售2A、600V N沟道增强型场效应管:SVF2N60M/MJ/N/F/T/D,广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

封装形式:

TO-252-2L;TO-251-3L;TO-251D-3L;TO-251J-3L;TO-126-3L;TO-220-3L;TO-220F-3L

特点:

∗ 2A,600V,RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ *了dv/dt 能力

主要*限参数(除非*说明,TC=25°C):

漏源电压VDS:600V

栅源电压VGS:&plu*n;30V

漏*电流ID(TC=25°C/100°C):2.0A/1.3A

漏*脉冲电流IDM:8.0A

详细参数资料请致电我司索取!







封装外形

SP/*外形

型号/规格

SVF2N60M(MJ)

材料

N-FET硅N沟道

用途

TR/激励、驱动

品牌/商标

SL士兰微电子

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型