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品牌/商标

FUJI/富士通

型号/规格

2SK3505 2SK3469

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

A/宽频带放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GaAS-FET砷化镓

开启电压

-(V)

夹断电压

-(V)

跨导

-(μS)

*间电容

-(pF)

低频噪声系数

-(dB)

漏*电流

-(mA)

耗散功率

-(mW)