供应原装*现货 BFQ591 SOT-89

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BFQ591

 

BFQ591硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHFUHFCATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于philips公司,现在国内也有公司生产。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的*微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上,为民用市场研制开发了系列高频微波三*管,包括2SC3356,2SC3357BFQ591,2S*226BFR540BFR520等,其性能指标同NECphilips同类产品相同。

BFQ591参数

类别:NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管   集电*-发射*电压VCEO15V

集电*-基*电压VCBO:20V           发射*-基*电压VEBO:3.0V

集电*直流电流IC:200mA            总耗散功率(TA=25)Ptot:2.25W

工作结温Tj:150         贮存温度Tstg:-65~150

封装形式:SOT-89           功率特性:*率        *性:NPN

结构:扩散型    材料:硅(Si)        封装材料:塑料封装 

电性能参数(TA=25):

击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V

直流放大系数hFE:60250 @VCE=8V,IC=70mA

集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)

发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)

特征频率fT:7.0GHz@ VCE=8V,IC=70mA

集电*允许电流IC0.2A

集电**大允许耗散功率PT2.25W

*功率增益S2110dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz

功率增益GUM11dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz

反馈电容Cre0.7 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz

 





应用范围

放大

品牌/商标

NXP/恩智浦

型号/规格

BFQ591

材料

硅(Si)

封装形式

贴片型