场效应管 SI4894BDY

SI4894BDY,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,8.9A,0.011Ω

产品型号:SI4894BDY Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES:
 * Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
 * TrenchFET Power MOSFET
 * 100% Rg Tested

封装:SOP-8

品牌：VISHAY/威士

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):8.9

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.011 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):1.4

输入电容Ciss(PF):1580 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：32

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):20

导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.

上升时间Tr(ns):10 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ.

下降时间Tf(ns):10 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SI4894BDY,30V,8.9A,0.011Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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