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SSM3K15FV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,30V,0.1A,4Ω
产品型号:SSM3K15FV
封装:SOT-723
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):0.1
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = 4 V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):7.8 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms):25
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):180 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K15FV,30V,0.1A,4Ω N-沟道增强型场效应晶体管
登陆我站:https://www.chinajincheng.com
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
TOSHIBA/东芝
SSM3K15FV
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道