场效应管 AOTF404,TF404

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AOTF404,TO-220F,DIP/MOS,N场,105V,26A,0.028Ω

产品型号:AOTF404
概述
该AOTF404/ L采用先进的沟槽技术和设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极charge.This装置是适合使用在高电压同步整流,负载开关和一般用途的应用。

产品特点:
 * 开关速度快
 * 低导通电阻(导通电阻≤15Ω)
 * 低栅极电荷(典型数据:5.0nC)
 * 低反向传输电容(典型:2.7pF)
 * 100%的单脉冲雪崩能量测试

应用范围:
 * 电源开关电路的电源适配器和充电器。
 * 符合RoHS标准

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):105

夹断电压VGS(V):±25

最大漏极电流Id(A):26

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):43

输入电容Ciss(PF):2038 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):73

单脉冲雪崩能量EAR(mJ):68

导通延迟时间Td(on)(ns):12.7 typ.

上升时间Tr(ns):8.2 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):31.5 typ.

下降时间Tf(ns):11.2 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:105V,26A N-沟道增强型场效应晶体管


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品牌/商标

AOS/美国万代

型号/规格

AOTF404,TO-220F,DIP/MOS,N场,105V,26A,0.028Ω

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物

导电方式

增强型

用途

S/开关

材料

N-FET硅N沟道