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产品属性
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AOTF404,TO-220F,DIP/MOS,N场,105V,26A,0.028Ω
产品型号:AOTF404
概述
该AOTF404/ L采用先进的沟槽技术和设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极charge.This装置是适合使用在高电压同步整流,负载开关和一般用途的应用。
产品特点:
* 开关速度快
* 低导通电阻(导通电阻≤15Ω)
* 低栅极电荷(典型数据:5.0nC)
* 低反向传输电容(典型:2.7pF)
* 100%的单脉冲雪崩能量测试
应用范围:
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* 符合RoHS标准
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):105
夹断电压VGS(V):±25
最大漏极电流Id(A):26
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):43
输入电容Ciss(PF):2038 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):73
单脉冲雪崩能量EAR(mJ):68
导通延迟时间Td(on)(ns):12.7 typ.
上升时间Tr(ns):8.2 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):31.5 typ.
下降时间Tf(ns):11.2 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:105V,26A N-沟道增强型场效应晶体管
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AOS/美国万代
AOTF404,TO-220F,DIP/MOS,N场,105V,26A,0.028Ω
绝缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
S/开关
N-FET硅N沟道