场效应管 Si3433CDV-T1-GE3

地区:广东 深圳
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Si3433CDV-T1-GE3,TSOP-6,DIP/MOS,P场,-20V,-6A,0.038Ω

型号品牌封装类型极性电压电流
SSM6L39TUTOSHIBASOT-323-6SMD/MOSN P场201.6
SSM6K411TUTOSHIBASOT-323-6SMD/MOSN场2010
SSM6K407TUTOSHIBASOT-323-6SMD/MOSN场602
SSM6J401TUTOSHIBASOT-323-6SMD/MOSP场-30-2.5
SSM6N24TUTOSHIBASOT-323-6SMD/MOS双N300.5
SSM6N25TUTOSHIBASOT-323-6SMD/MOS双N200.5
AO7801AOSOT-323-6SMD/MOS双P-20-0.6
SSM6L36FETOSHIBASOT-563-6/EMT6SMD/MOSN P场200.5
SSM6K204FETOSHIBASOT-563-6/EMT6SMD/MOSN场202
SSM6K202FETOSHIBASOT-563-6/EMT6SMD/MOSN场302.3
SSM6J23FETOSHIBASOT-563-6/EMT6SMD/MOSP场-12-1.2
SSM6N37FETOSHIBASOT-563-6/EMT6SMD/MOS双N200.25
SSM6N36FETOSHIBASOT-563-6/EMT6SMD/MOS双N200.5
SSM6N16FETOSHIBASOT-563-6/EMT6SMD/MOS双N200.1
SSM6P36FETOSHIBASOT-563-6/EMT6SMD/MOS双P-20-0.33
SSM6P15FETOSHIBASOT-563-6/EMT6SMD/MOS双P-30-0.1
AO6702AOTSOP-6SMD/MOSN场203.8
Si3433CDV-T1-GE3VISHAYTSOP-6SMD/MOSP场-20-6
NDC652PFAIRCHILDTSOP-6SMD/MOSP场-30-2.4
AO6701LAOTSOP-6SMD/MOSP场-30-2.3

企业网站:https://www.chinajincheng.com
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品牌/商标

Vishay/威世通

型号/规格

Si3433CDV-T1-GE3

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

P-FET硅P沟道